Infineon Technologies - IRFZ24NSTRR

KEY Part #: K6414126

[12862kpl varastossa]


    Osa numero:
    IRFZ24NSTRR
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IRFZ24NSTRR electronic components. IRFZ24NSTRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFZ24NSTRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFZ24NSTRR Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IRFZ24NSTRR
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
    Sarja : HEXFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 55V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 3.8W (Ta), 45W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB