Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1K-E3/67A

KEY Part #: K6457707

RGF1K-E3/67A Hinnoittelu (USD) [644975kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.07095
  • 1,500 pcs$0.07060
  • 3,000 pcs$0.06437
  • 7,500 pcs$0.06021
  • 10,500 pcs$0.05606

Osa numero:
RGF1K-E3/67A
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 800 Volt 500ns 30 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Arrays and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1K-E3/67A electronic components. RGF1K-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1K-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1K-E3/67A Tuoteominaisuudet

Osa numero : RGF1K-E3/67A
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 500ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 800V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214BA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214BA (GF1)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM