Vishay Siliconix - SI1902DL-T1-GE3

KEY Part #: K6522740

SI1902DL-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [454493kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08138
  • 3,000 pcs$0.07687

Osa numero:
SI1902DL-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3 electronic components. SI1902DL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1902DL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1902DL-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI1902DL-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
Teho - Max : 270mW
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajalaitteen paketti : SC-70-6 (SOT-363)