Infineon Technologies - IPP042N03LGXKSA1

KEY Part #: K6399430

IPP042N03LGXKSA1 Hinnoittelu (USD) [68764kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.54771
  • 10 pcs$0.48332
  • 100 pcs$0.38210
  • 500 pcs$0.28030
  • 1,000 pcs$0.22129

Osa numero:
IPP042N03LGXKSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPP042N03LGXKSA1 electronic components. IPP042N03LGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP042N03LGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP042N03LGXKSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPP042N03LGXKSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 79W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO220-3
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.