Vishay Semiconductor Diodes Division - SD103BW-G3-18

KEY Part #: K6439950

SD103BW-G3-18 Hinnoittelu (USD) [1619137kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02411
  • 10,000 pcs$0.02399

Osa numero:
SD103BW-G3-18
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - RF and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SD103BW-G3-18 electronic components. SD103BW-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SD103BW-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SD103BW-G3-18 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SD103BW-G3-18
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 350mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 600mV @ 200mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 10ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 20V
Kapasitanssi @ Vr, F : 50pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SOD-123
Toimittajalaitteen paketti : SOD-123
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 125°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS19

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns