NSB8KT-E3/81 Hinnoittelu (USD) [143207kpl varastossa]
- 1 pcs$0.25828
- 800 pcs$0.24191
- Osa numero:
- NSB8KT-E3/81
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8KT-E3/81 electronic components. NSB8KT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8KT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8KT-E3/81 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
NSB8KT-E3/81
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 800V
Kapasitanssi @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti :
TO-263AB
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
SCS208AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
-
-
VB30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
-
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,100V,TRENCH SKY RECT.
Kuumat osat
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08