Osa numero :
TPC8110(TE12L,Q,M)
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2180pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
1W (Ta)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SOP (5.5x6.0)
Paketti / asia :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)