ON Semiconductor - FDS6680S

KEY Part #: K6407943

[799kpl varastossa]


    Osa numero:
    FDS6680S
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor FDS6680S electronic components. FDS6680S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6680S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS6680S Tuoteominaisuudet

    Osa numero : FDS6680S
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
    Sarja : PowerTrench®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 11.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2010pF @ 15V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : 8-SOIC
    Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)