NXP USA Inc. - BUK7Y25-40B/C,115

KEY Part #: K6400070

[3524kpl varastossa]


    Osa numero:
    BUK7Y25-40B/C,115
    Valmistaja:
    NXP USA Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK7Y25-40B/C,115 electronic components. BUK7Y25-40B/C,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7Y25-40B/C,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK7Y25-40B/C,115 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : BUK7Y25-40B/C,115
    Valmistaja : NXP USA Inc.
    Kuvaus : MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
    Sarja : TrenchMOS™
    Osan tila : Active
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 35.3A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12.1nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 693pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 59.4W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : LFPAK56, Power-SO8
    Paketti / asia : SC-100, SOT-669