Vishay Siliconix - SIR876ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419392

SIR876ADP-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [109266kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33851
  • 3,000 pcs$0.31715

Osa numero:
SIR876ADP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIR876ADP-T1-GE3 electronic components. SIR876ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR876ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR876ADP-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIR876ADP-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8

Saatat myös olla kiinnostunut