Osa numero :
SIR876ADP-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1630pF @ 50V
Tehon hajautus (max) :
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SO-8
Paketti / asia :
PowerPAK® SO-8