Osa numero :
PHB55N03LTA,118
Valmistaja :
NXP USA Inc.
Kuvaus :
MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
85W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
D2PAK
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB