Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2D-M3/52T

KEY Part #: K6457754

ES2D-M3/52T Hinnoittelu (USD) [665869kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05555
  • 10,500 pcs$0.05034

Osa numero:
ES2D-M3/52T
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,20NS,UF Rect,SMD
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2D-M3/52T electronic components. ES2D-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2D-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2D-M3/52T Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES2D-M3/52T
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 2A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 2A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AA, SMB
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AA (SMB)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM