Vishay Siliconix - SI7411DN-T1-GE3

KEY Part #: K6407711

[878kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI7411DN-T1-GE3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7411DN-T1-GE3 electronic components. SI7411DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7411DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7411DN-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI7411DN-T1-GE3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : P-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 7.5A (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 11.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 300µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 1.5W (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® 1212-8
    Paketti / asia : PowerPAK® 1212-8

    Saatat myös olla kiinnostunut