Osa numero :
DMN30H4D0LFDE-7
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
300V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
550mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.6nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
187.3pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
630mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paketti / asia :
6-UDFN Exposed Pad