IXYS - IXTM35N30

KEY Part #: K6400887

[3241kpl varastossa]


    Osa numero:
    IXTM35N30
    Valmistaja:
    IXYS
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    POWER MOSFET TO-3.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in IXYS IXTM35N30 electronic components. IXTM35N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM35N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM35N30 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IXTM35N30
    Valmistaja : IXYS
    Kuvaus : POWER MOSFET TO-3
    Sarja : GigaMOS™
    Osan tila : Last Time Buy
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 300V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 17.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 300W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : TO-204AE
    Paketti / asia : TO-204AE

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.