Harwin Inc. - S2711-46R

KEY Part #: K7359491

S2711-46R Hinnoittelu (USD) [982367kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.03784
  • 1,900 pcs$0.03765
  • 3,800 pcs$0.03654
  • 5,700 pcs$0.03544
  • 9,500 pcs$0.03211
  • 13,300 pcs$0.03101
  • 47,500 pcs$0.02990
  • 95,000 pcs$0.02879

Osa numero:
S2711-46R
Valmistaja:
Harwin Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
SMT RFI CLIP 1900/TR TR. Specialized Cables SMT RFI MIDI CLIP NICKEL
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: RF-antennit, RFID-lukijamoduulit, RF-arviointi- ja kehityssarjat, levyt, RF-vahvistimet, RFID-tarvikkeet, RFID, RF-yhteys, seuranta-IC: t, RF-tehonsäätimen IC: t and RF-sekoittimet ...
Kilpailuetu:
We specialize in Harwin Inc. S2711-46R electronic components. S2711-46R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2711-46R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2711-46R Tuoteominaisuudet

Osa numero : S2711-46R
Valmistaja : Harwin Inc.
Kuvaus : SMT RFI CLIP 1900/TR TR
Sarja : EZ BoardWare
Osan tila : Active
Tyyppi : Shield Finger
Muoto : -
Leveys : 0.090" (2.28mm)
Pituus : 0.346" (8.79mm)
Korkeus : 0.140" (3.55mm)
materiaali : Copper Alloy
pinnoitus : Tin
Pinnoitus - paksuus : 118.11µin (3.00µm)
Liitteen menetelmä : Solder
Käyttölämpötila : -40°C ~ 125°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.