Osa numero :
DMN2015UFDE-7
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
10.5A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
45.6nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1779pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
660mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paketti / asia :
6-PowerUDFN