IXYS - IXFQ72N20X3

KEY Part #: K6396096

IXFQ72N20X3 Hinnoittelu (USD) [14498kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.84251

Osa numero:
IXFQ72N20X3
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - SCR: t, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFQ72N20X3 electronic components. IXFQ72N20X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ72N20X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ72N20X3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFQ72N20X3
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
Sarja : HiPerFET™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 72A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3780pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 320W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-3P
Paketti / asia : TO-3P-3, SC-65-3