Osa numero :
IPD65R1K4CFDBTMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
262pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
28.4W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO252-3
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63