Microsemi Corporation - JANTXV1N6076

KEY Part #: K6447988

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 1.3A 50V ULTRAFAST RECT

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - IGBT - Arrays ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6076 electronic components. JANTXV1N6076 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6076, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : JANTXV1N6076

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Sarja : Military, MIL-PRF-19500/503

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.3A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.76V @ 18.8A

Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 50V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Through Hole

Paketti / asia : E, Axial

Toimittajalaitteen paketti : E-PAK

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 155°C

Saatat myös olla kiinnostunut

SUF30J-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 3A P600.
SUF30G-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 3A P600.
SRP600K-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
GPP60GHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60DHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60D-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.

Kuumat osat