Osa numero :
EPC2103ENGRT
Kuvaus :
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus :
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 40V
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Die