Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
FET-tyyppi :
N and P-Channel
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
246pF @ 25V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO