EPC - EPC2022

KEY Part #: K6407444

EPC2022 Hinnoittelu (USD) [19588kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.32586
  • 500 pcs$2.31429

Osa numero:
EPC2022
Valmistaja:
EPC
Yksityiskohtainen kuvaus:
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - RF and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in EPC EPC2022 electronic components. EPC2022 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2022, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2022 Tuoteominaisuudet

Osa numero : EPC2022
Valmistaja : EPC
Kuvaus : GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
Sarja : eGaN®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : +6V, -4V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : -
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : Die
Paketti / asia : Die
Saatat myös olla kiinnostunut
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SK3462(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

  • 2SK3342(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.