Osa numero :
STH110N10F7-6
Valmistaja :
STMicroelectronics
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Sarja :
DeepGATE™, STripFET™ VII
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
5117pF @ 50V
Tehon hajautus (max) :
150W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
H2PAK-6
Paketti / asia :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)