SBR10B45P5-13D Hinnoittelu (USD) [457832kpl varastossa]
- 1 pcs$0.08079
- 5,000 pcs$0.07179
- Osa numero:
- SBR10B45P5-13D
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SBR 45V 10A POWERDI5. Schottky Diodes & Rectifiers 45Vrrm 10A 0.55Vf 0.38mA SBR PowerDI5
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Tiristorit - TRIACit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated SBR10B45P5-13D electronic components. SBR10B45P5-13D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR10B45P5-13D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBR10B45P5-13D Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SBR10B45P5-13D
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Sarja :
SBR®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Super Barrier
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
45V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
550mV @ 10A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
380µA @ 45V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
PowerDI™ 5
Toimittajalaitteen paketti :
PowerDI™ 5
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Kuumat osat
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215