C3D02065E Hinnoittelu (USD) [92595kpl varastossa]
- 1 pcs$0.42228
- 100 pcs$0.33222
- 500 pcs$0.28871
- 1,000 pcs$0.25213
- Osa numero:
- C3D02065E
- Valmistaja:
- Cree/Wolfspeed
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Tehonohjaimen moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3D02065E electronic components. C3D02065E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3D02065E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3D02065E Tuoteominaisuudet
Osa numero :
C3D02065E
Valmistaja :
Cree/Wolfspeed
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2
Sarja :
Z-Rec®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
650V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 2A
Nopeus :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
50µA @ 650V
Kapasitanssi @ Vr, F :
120pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti :
TO-252-2
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
C3D02065E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V
-
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
P600D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 200 Volt 400 Amp IFSM
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Kuumat osat
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G