Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3FHE3_A/I

KEY Part #: K6457048

ES3FHE3_A/I Hinnoittelu (USD) [322487kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.12103
  • 3,500 pcs$0.12043

Osa numero:
ES3FHE3_A/I
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB. Rectifiers 300 Volt 3.0A 35ns Glass Passivated
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3FHE3_A/I electronic components. ES3FHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3FHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3FHE3_A/I Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES3FHE3_A/I
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 300V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 300V
Kapasitanssi @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED