Osa numero :
MTD10N10ELT4
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
1.75W (Ta), 40W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
DPAK
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63