Osa numero :
TK35A08N1,S4X
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 40V
Tehon hajautus (max) :
30W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220SIS
Paketti / asia :
TO-220-3 Full Pack