Osa numero :
TSM900N06CH X0G
Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
25W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-251 (IPAK)
Paketti / asia :
TO-251-3 Stub Leads, IPak