ON Semiconductor - NVMFD5853NLT1G

KEY Part #: K6525210

NVMFD5853NLT1G Hinnoittelu (USD) [132119kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.27995
  • 1,500 pcs$0.25450

Osa numero:
NVMFD5853NLT1G
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - JFET and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5853NLT1G electronic components. NVMFD5853NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5853NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5853NLT1G Tuoteominaisuudet

Osa numero : NVMFD5853NLT1G
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
Teho - Max : 3W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 8-PowerTDFN
Toimittajalaitteen paketti : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)