IXYS - IXFH16N120P

KEY Part #: K6400918

IXFH16N120P Hinnoittelu (USD) [6557kpl varastossa]

  • 1 pcs$7.22307
  • 10 pcs$6.56819
  • 100 pcs$5.58296

Osa numero:
IXFH16N120P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Zener - Single, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR-moduulit and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFH16N120P electronic components. IXFH16N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH16N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH16N120P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFH16N120P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
Sarja : HiPerFET™, PolarP2™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 660W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247AD (IXFH)
Paketti / asia : TO-247-3