Kuvaus :
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
Sarja :
HiPerFET™, PolarP2™
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
660W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247AD (IXFH)
Paketti / asia :
TO-247-3