Vishay Siliconix - SI2316DS-T1-E3

KEY Part #: K6418451

SI2316DS-T1-E3 Hinnoittelu (USD) [340497kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.10863
  • 3,000 pcs$0.09778

Osa numero:
SI2316DS-T1-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI2316DS-T1-E3 electronic components. SI2316DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2316DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2316DS-T1-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI2316DS-T1-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 700mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3 (TO-236)
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.