RHRG3060-F085 Hinnoittelu (USD) [47399kpl varastossa]
- 1 pcs$0.82492
- Osa numero:
- RHRG3060-F085
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching HFR TO247 30A 600V AUTO
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor RHRG3060-F085 electronic components. RHRG3060-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RHRG3060-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RHRG3060-F085 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
RHRG3060-F085
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
30A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
2.1V @ 30A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
45ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
250µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-247-2
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247-2
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4448W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Kuumat osat
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G