VS-5EWH06FNTR-M3 Hinnoittelu (USD) [251543kpl varastossa]
- 1 pcs$0.14704
- 2,000 pcs$0.13326
- 6,000 pcs$0.12406
- 10,000 pcs$0.12253
- Osa numero:
- VS-5EWH06FNTR-M3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-5EWH06FNTR-M3 electronic components. VS-5EWH06FNTR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-5EWH06FNTR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-5EWH06FNTR-M3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-5EWH06FNTR-M3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Sarja :
FRED Pt®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.85V @ 5A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti :
D-PAK (TO-252AA)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4448W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Kuumat osat
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF