IXYS - IXTA3N120HV

KEY Part #: K6397785

IXTA3N120HV Hinnoittelu (USD) [15181kpl varastossa]

  • 1 pcs$7.03798
  • 10 pcs$6.39896
  • 100 pcs$5.43912

Osa numero:
IXTA3N120HV
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTA3N120HV electronic components. IXTA3N120HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N120HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N120HV Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTA3N120HV
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 200W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-263
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.