Microsemi Corporation - JANTXV1N6629US

KEY Part #: K6447637

JANTXV1N6629US Hinnoittelu (USD) [3501kpl varastossa]

  • 1 pcs$13.67618
  • 100 pcs$13.60814

Osa numero:
JANTXV1N6629US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6629US electronic components. JANTXV1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6629US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTXV1N6629US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 60ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 800V
Kapasitanssi @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, E
Toimittajalaitteen paketti : D-5B
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

  • EGL34GHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.