Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34GHE3/83

KEY Part #: K6447646

[1353kpl varastossa]


    Osa numero:
    EGL34GHE3/83
    Valmistaja:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - erityistarkoitus ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3/83 electronic components. EGL34GHE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34GHE3/83 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : EGL34GHE3/83
    Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    Sarja : SUPERECTIFIER®
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    Diodin tyyppi : Standard
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 500mA
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 500mA
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 400V
    Kapasitanssi @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : DO-213AA (Glass)
    Toimittajalaitteen paketti : DO-213AA (GL34)
    Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.