Infineon Technologies - FF45MR12W1M1B11BOMA1

KEY Part #: K6522850

FF45MR12W1M1B11BOMA1 Hinnoittelu (USD) [1544kpl varastossa]

  • 1 pcs$28.02038

Osa numero:
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET MODULE 1200V 50A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - erityistarkoitus and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies FF45MR12W1M1B11BOMA1 electronic components. FF45MR12W1M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF45MR12W1M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF45MR12W1M1B11BOMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FF45MR12W1M1B11BOMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET MODULE 1200V 50A
Sarja : CoolSiC™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Silicon Carbide (SiC)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 15V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1840pF @ 800V
Teho - Max : 20mW (Tc)
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : AG-EASY1BM-2