Vishay Siliconix - SIRA28BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6397491

SIRA28BDP-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [440577kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08395

Osa numero:
SIRA28BDP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - JFET and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA28BDP-T1-GE3 electronic components. SIRA28BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA28BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA28BDP-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIRA28BDP-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8
Sarja : TrenchFET® Gen IV
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 38A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 582pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SO-8
Paketti / asia : PowerPAK® SO-8

Saatat myös olla kiinnostunut
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.