Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 300V
Tehon hajautus (max) :
180W (Tc)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
4-DFN-EP (8x8)
Paketti / asia :
4-VSFN Exposed Pad