Vishay Siliconix - IRFD110PBF

KEY Part #: K6417061

IRFD110PBF Hinnoittelu (USD) [100560kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.33222
  • 10 pcs$0.29069
  • 100 pcs$0.22437
  • 500 pcs$0.16619
  • 1,000 pcs$0.13295

Osa numero:
IRFD110PBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD110PBF electronic components. IRFD110PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD110PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD110PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFD110PBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 1.3W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paketti / asia : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.