Vishay Siliconix - IRFR010PBF

KEY Part #: K6404997

IRFR010PBF Hinnoittelu (USD) [56000kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.69823
  • 3,000 pcs$0.25764

Osa numero:
IRFR010PBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR010PBF electronic components. IRFR010PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR010PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR010PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFR010PBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 50V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 8.2A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 25W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut