Vishay Siliconix - SIS427EDN-T1-GE3

KEY Part #: K6416238

SIS427EDN-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [306526kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.11355

Osa numero:
SIS427EDN-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - RF and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIS427EDN-T1-GE3 electronic components. SIS427EDN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS427EDN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS427EDN-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIS427EDN-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1930pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® 1212-8
Paketti / asia : PowerPAK® 1212-8

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.