Osa numero :
IPA60R1K5CEXKSA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 600V TO220-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.4nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 100V
FET-ominaisuus :
Super Junction
Tehon hajautus (max) :
20W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO220 Full Pack
Paketti / asia :
TO-220-3 Full Pack