ON Semiconductor - FDN360P

KEY Part #: K6420790

FDN360P Hinnoittelu (USD) [694448kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05353
  • 3,000 pcs$0.05326

Osa numero:
FDN360P
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDN360P electronic components. FDN360P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN360P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN360P Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDN360P
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Sarja : PowerTrench®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 298pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 500mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : SuperSOT-3
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3