Osa numero :
SI2315BDS-T1-GE3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
715pF @ 6V
Tehon hajautus (max) :
750mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3 (TO-236)
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3