Vishay Semiconductor Diodes Division - GP30J-E3/54

KEY Part #: K6440204

GP30J-E3/54 Hinnoittelu (USD) [324062kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.11414
  • 2,800 pcs$0.09496

Osa numero:
GP30J-E3/54
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD. Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt 125 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP30J-E3/54 electronic components. GP30J-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP30J-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP30J-E3/54 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GP30J-E3/54
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 5µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-201AD, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-201AD
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier