Vishay Semiconductor Diodes Division - SE10FGHM3/I

KEY Part #: K6440114

SE10FGHM3/I Hinnoittelu (USD) [1223781kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.03189
  • 30,000 pcs$0.03173

Osa numero:
SE10FGHM3/I
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE10FGHM3/I electronic components. SE10FGHM3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE10FGHM3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE10FGHM3/I Tuoteominaisuudet

Osa numero : SE10FGHM3/I
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 780ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 7.5pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-219AB
Toimittajalaitteen paketti : DO-219AB (SMF)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • 1N4148W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM

  • BAS16D-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM

  • SD101AW-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • BAV21W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM

  • SD101AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • BAV19W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM