Vishay Siliconix - IRFR210PBF

KEY Part #: K6404457

IRFR210PBF Hinnoittelu (USD) [90796kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38632
  • 100 pcs$0.28191
  • 500 pcs$0.20882
  • 1,000 pcs$0.16706

Osa numero:
IRFR210PBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - moduulit, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - JFET and Diodit - Zener - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR210PBF electronic components. IRFR210PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR210PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR210PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFR210PBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2.6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63